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什么叫深度饱和

1.随着基极电流逐步增大,三极管的集电极电流已经不随着基极电流变化而变化;2.Ube≥Uce.这时候的状态就是“深度饱和状态”.

饱和:在外加Vce= V1 不便的情况下,增大Ib 直到Ic 不再明显增大,也就是放大倍数减小,此时为饱和.深度饱和:继续增大Ib, 进入深度饱和.从放大区到饱和区再到深度饱和,基区载流子浓度越来越大,造成Toff 的增大也就是前面说的速度.

当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和,假定负载电阻是1k,vcc是5v,饱和时电阻通过电流最大也就是5ma,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05ma=50μa,那么基极电流大于50μa就可以饱和. 1.在实际工作中,常用ib*β=v/r作为判断临界饱和的条件.根据ib*β=v/r算出的ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深. 2.集电极电阻 越大越容易饱和; 3.饱和区的现象就是:二个pn结均正偏,ic不受ib之控制.

三极管在数字电路中饱和应用是作为电子开关导通状态使用的,为了使三极管开关能够在承受较大灌电流时仍然保持导通良好,需要三极管处于深度饱和状态.如果传递信号中需要放大信号,三极管就必须工作在放大状态.

深度饱和的晶体管CE电压降接近0,Rc上的电压接近电源电压(12V).

饱和潜水,是一种适用于大深度条件下,开展长时间作业的潜水方式.按照国际惯例,当潜水作业深度超过120米、时间超过1小时,一般都是采用饱和潜水.作为唯一一种可使潜水员直接暴露于高压环境开展水下作业的潜水方式,饱和潜水已广

三极管进入深入饱和区,可以进一步减小Vce导通压降,即降低导通损耗,但退出饱和区时,需要将载流子抽出,饱和程度越深,退饱和就越慢,在一定程度上,会使开关频率不能进一步提高.因此,高速开关器件一般都工作在临界饱和区,既控制导通压降,又不致于开/关太慢.

饱和潜水的原理 饱和潜水的优点在于提高潜水作业效率,潜水者可在较大深度下进行长时间的有效作业.因此,受到世界各国的普遍重视.自本世纪50年代后期提出饱和潜水以来经过30多年来的发展,现已由实验室和海上现场实验进展至实际

临界饱和是指管子处于饱和和放大的交界处,对NPN管.VC再大一点 管子放大 ,再小一点 ,管子饱和的特殊状态.管子饱和跟IB有关,IB越大,UCE就会越低,直至IB大到管子饱和.计算临界饱和电流的用意本来是方便我们判断电路元件

三极管具有电流放大作用,但必须要有外部电路条件相配合,即外部电路满足“发射极E正向偏置.集电极反向偏置”这一条件.三极管的输出特性渠线可以划分为三个区,即放大区、饱和区、截止区.在饱和区,饱和压降一般很小(小于1伏),

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