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三极管临界饱和条件

当“Vce=Vbe≈0.7V”,是电路的一种特殊工作状态(方式).理论上,一般把Vce=Vbe的状态称为临界饱和,Vce

NPN三极管饱和的条件是UB>UE,UB>UC,这没错.因为UB>UE=0.7V三极管才能导通;当三极管饱和导通后,Uec在0.2V-0.3V左右,那么0.7V-0.3V=0.4V.即UB>UC=0.4V-0.5V.图中由于U1是电源,那么U1=6V是不变的.又由于U2也是来自电源,所以U2不会高于6V.U2怎会灌流至U1?UB>UC,是在c极接负载的情况下出现,而象图中负载接于射极的情况下不会出现.

其实很多书上都有写,深度饱和时,两个PN结均正偏,对NPN来说就是集电极电压低于基极电压.可做为深饱的判定依据.当然,Vce小于0.7V也可做为开始饱和的依据,低至0.5V以下,就可以认为是深饱了.

临界饱和状态是三极管Vce极接近其饱和电压的状态.在这个状态下三极管开关速度最高, 损耗小.

三极管工作在饱和区的条件是 发射结正偏 集电结正偏 工作在放大区的条件是什么是 发射结正偏 集电结反偏 正常放大状态之下 UCE大于发射结的导通压降 即硅管大于0.7V 锗管大于0.3V 这个电压越小 管子动态范围越小 一般都在几伏 饱和区之内 UCE是低于管子发射结导通压降的 硅管在0.3V下 锗管在0.1V下

取决于发射结的电压值,即发射结正偏导通,反偏截止,进入截止状态;正偏时超过发射结的导通范围电压后,三极管就进入饱和状态 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.

发射结正偏,集电结刚好达到正偏(不是vbc>0,而是vbc=vbc(on),npn硅管vbc(on)=0.4v),.特点1:vce很小约0.3v(vce(sat)=-vbc+vbc=-0.4+0.7=0.3v),因此相当于c,e极间短路或电阻很小.2:vce很小变化就使ice急剧改变3:ib与ic在临界时仍可用ic=βib,但进入饱和ic<βib.

Ic

截止状态: 三极管基极不加偏置电压或是加反向偏置电压,使BE极截止(BE极与二极管特性相同,需加上0.7V的正向偏压才能导通),基极电流IB=0,因为IC=β IB,所以IC=IE=0,此时CE极之间相当于断路,负载无电流. 饱和状态: 当三极管之基极加入驶大的电流时,因为ICIE=β*IB,射极和集极的电流亦非常大,此时,集电极与射极之间的电压降非常低(VCE为0.4V以下),其意义相当于集极与射极之间完全导通,此一状态称为三极管饱合. 1、NPN: 截止,集电结反偏,发射结反偏; 饱和,集电结正偏,发射结正偏; 2、PNP: 截止,集电结正偏,发射结正偏; 饱和,集电结反偏,发射结反偏;

对于NPN型三极管,一般的处于放大区的条件是Uc>Ub>Ue,并且Ub和Ue之间的电压差要大于发射结的初始导通电压.虽然放大区也有很小一块区域是Uc对于PNP型三极管,情况正好相反,处于放大区的条件是Uc

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