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三极管饱和状态CE电压

三极管导通了,这个说法不够严格.放大态和饱和态都是导通的.这两种状态的性质有许多不同.饱和导通了,ce间的电压是基本不变了;如果没有饱和,那就是处在放大态,ce间的电压和电流都随着输入电流的变化而变化.

要看三极管工作在什么状态,深饱和时uce小于0.3v,正常放大时一般设置uce为2到6v,再大就要进入截至状态.当然这是当电源电压为12v时的情况.

三极管饱和区,也就是说CE极都已经是导通状态了,通俗的跟你讲,你在CE端加更高的电压必须会增加Ice的电流,这就像你在一个不变电阻上加更高电压一样,这是伏安特性.

NPN三极管在放大状态时CE间电压Uce由基极电流决定,在共发射极放大器中:Uec=Ec-βibRc-(β+1)ibRe,ib为动态基极电流,静态时ib为一常数,由静态工作点设定.三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.

三极管的CE极电压是由它的工作状态决定的,三极管的工作状态分三种:截止、导通、放大,截止时三极管的CE极电压近似于工作电压,导通时三极管的CE极电压为三极管的饱和压降,大约1V左右,放大时三极管的CE极电压理论上是在工作电压至饱和压降之间变化.

硅管BE约0.7V锗管BE0.3V,CE要看电路具体而议,但是三极管的放大主要用在模拟电路,而饱和与截止特性一般用在数字电路.

饱和就是一种状态(对应的是三极管输出特性曲线中的一块区域),不过饱和严格的说是一个过程,有程度深浅之分.对于小功率三极管而言,一般在UCE

必须有足够的电源.关键是集电极,应该有个合适的电阻Rc.这样,加大Ib即可使得Vce下降,降到1V、0.5V,都可以.这才能说:CE电压随基极电流变化,加大Ib可以使三极管饱和.

你的理解没有错误,理解到这种程度已经下了功夫了.但确实还有一点问题,主要在于: 1、过于在意“极电结正偏”了.其实,在饱和区,即便是极电结正偏,也还没有达到极电结的正向导通电压.不过,一般人都会被“正偏”误导. 2、饱

一方面.三极管的饱和状态也就是三极管的输出电流饱和输出电流不随输入电流而改变的一种状态,即输出电流恒定、只决定于输出回路的电源电压和负载电阻的一种状态.因此,在饱和状态时仍有电流通过正偏的集电结.另一方面,从三极管由放大状态进入饱和状态的过程来看:放大状态时,在输入电流驱动下,使得通过反偏集电结的输出电流与输入电流成正比(比例系数就是电流放大系数);但随着输入电流的增大,输出电流将逐渐转变为饱和,三极管也就进入饱和状态.因此饱和电流也仍然从集电结输出.可见,这主要是由于通过发射结的输入电流的驱动所致,如果没有输入电流的驱动,只有集电结正偏,也就不会产生输出的饱和电流.

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