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三极管饱和区条件

三极管工作在饱和区的条件是 发射结正偏 集电结正偏 工作在放大区的条件是什么是 发射结正偏 集电结反偏 正常放大状态之下 UCE大于发射结的导通压降 即硅管大于0.7V 锗管大于0.3V 这个电压越小 管子动态范围越小 一般都在几伏 饱和区之内 UCE是低于管子发射结导通压降的 硅管在0.3V下 锗管在0.1V下

三极管工作在饱和区的条件是 发射结正偏 集电结正偏

三极管我从来没有听过,但是我听说过二极管.

取决于发射结的电压值,即发射结正偏导通,反偏截止,进入截止状态;正偏时超过发射结的导通范围电压后,三极管就进入饱和状态 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.

NPN三极管饱和的条件是UB>UE,UB>UC,这没错.因为UB>UE=0.7V三极管才能导通;当三极管饱和导通后,Uec在0.2V-0.3V左右,那么0.7V-0.3V=0.4V.即UB>UC=0.4V-0.5V.图中由于U1是电源,那么U1=6V是不变的.又由于U2也是来自电源,所以U2不会高于6V.U2怎会灌流至U1?UB>UC,是在c极接负载的情况下出现,而象图中负载接于射极的情况下不会出现.

三极管处于放大区的条件是:1、发射结正偏,集电结反偏.2、基极电流满足0<Ib<Ibs,其中Ibs为基极的临界饱和电流.注:以上两个条件是并列的,满足任何一个都可以判定三极管处于放大区.三极管放大区的定义:在晶体三极管中,放大区也称为线性区.即当集电极和发射极的电压VCE大于一定的数值时,集电极电流IC的值只与基极电流IB有关.晶体管放大区是晶体管三大区域之一,另两个分别是饱和区和截止区.在放大区内,发射结正偏,集电结反偏.IC=βIB , 且△IC =β △IB.

放大区:发射结正偏,集电结反偏.Uc>Ub>Ue(NPN).截止区:发射结反偏,集电结反偏.Uc>Ue>Ub(NPN).饱和区:发射结正偏,集电结正偏.Ube>Uce(NPN).

其实很多书上都有写,深度饱和时,两个PN结均正偏,对NPN来说就是集电极电压低于基极电压.可做为深饱的判定依据.当然,Vce小于0.7V也可做为开始饱和的依据,低至0.5V以下,就可以认为是深饱了.

对于npn型三极管,一般的处于放大区的条件是uc>ub>ue,并且ub和ue之间的电压差要大于发射结的初始导通电压.虽然放大区也有很小一块区域是uc对于pnp型三极管,情况正好相反,处于放大区的条件是uc

三极管处于饱和状态的条件是发射结和集电结正偏,一点五伏大于零就是正偏,饱和的话Uc-Ue一定也大于零

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