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晶体管深度饱和

这是为了保证8050能够可靠导通,降低三极管的饱和压降(降到0.1v左右).如果只用1.5ma的基流,当情况稍有变化(比如三极管的放大倍数小于200等等),三极管导通不充分时(此时管压降可能较高),会分去+5v的少量电压,led可能得不到300ma的工作电流.在这个例子里,8050只相当于一个开关.三极管虽然可以当开关,但由于饱和电压与截止电流的存在,三极管还不是一个理想的开关.采取深度饱和措施就是为了改善三极管的“开”的性能.

当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和,假定负载电阻是1k,vcc是5v,饱和时电阻通过电流最大也就是5ma,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05ma=50μa,那么基极电流大于50μa就可以饱和. 1.在实际工作中,常用ib*β=v/r作为判断临界饱和的条件.根据ib*β=v/r算出的ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深. 2.集电极电阻 越大越容易饱和; 3.饱和区的现象就是:二个pn结均正偏,ic不受ib之控制.

饱和:在外加Vce= V1 不便的情况下,增大Ib 直到Ic 不再明显增大,也就是放大倍数减小,此时为饱和.深度饱和:继续增大Ib, 进入深度饱和.从放大区到饱和区再到深度饱和,基区载流子浓度越来越大,造成Toff 的增大也就是前面说的速度.

三极管在数字电路中饱和应用是作为电子开关导通状态使用的,为了使三极管开关能够在承受较大灌电流时仍然保持导通良好,需要三极管处于深度饱和状态.如果传递信号中需要放大信号,三极管就必须工作在放大状态.

三极管是少子器件,开启及关闭都有延迟,而且关闭过程会有很长的拖尾.达林顿开关速度快,原因是组成达林顿的两个管工作状态不同,电流大的一个管始终处于临界饱合状态,且集电结处于反偏,所以速度很快,而电流小的一个是小功率管,基区的储贮效应也很低,开关速度也很快. 查看原帖>>

深度饱和的晶体管CE电压降接近0,Rc上的电压接近电源电压(12V).

三极管有三个状态啊,截止,放大,饱和,饱和的时候,NPN的管子,基极的电压比集电极的电压大,导致发射极和集电极之间的电阻很大,相当于断路……

双极型晶体三极管在饱和状态时不但发射结正向偏置,集电结也处于正向偏置.就你说的NPN(硅材料)三极管处于深度饱和工作状态而言,其反射结正向偏置电压Ube=0.6V,集电结正向偏置电压Ubc=0.4V,这时它的饱和压降Uces=Ucb-Ueb=-Ubc-(-Ube)=Ube-Ubc=0.6V-0.4V=0.2V.

三极管具有电流放大作用,但必须要有外部电路条件相配合,即外部电路满足“发射极E正向偏置.集电极反向偏置”这一条件.三极管的输出特性渠线可以划分为三个区,即放大区、饱和区、截止区.在饱和区,饱和压降一般很小(小于1伏),

数电答法?三极管一般状态,饱和状态be间电压可认为恒定0.7v.ce之间的电压在一般状态时和饱和状态时,电压压差也应该恒定(只是饱和时和一般状态的具体值不一样,饱和时压差低一些).具体的深度饱和电压与具体的型号有关,一般0.3v(功放类的大一些为1点多伏)

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