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晶体管饱和状态判断

这种题目你其实去核算一下就可以了.你抓住三点:当三极管处于放大状态时,Ic=BIb;如果是截止,则Ic=Ib=0;如果是饱和,则会出现Ic<BIb的情况.在此基础上加上必要的推测(如果三极管导通,不是放大就是饱和),可以解决这类题目.

三极管饱种的条件是,Vce ≤0.3伏.所以你只需要查看集电极与射极间的电位差就可以了

以共发射极电路为例,测试发射极和集电极之间电压,电压约等于电源电压为截止,如果只有零点几伏(不同三极管饱和压降不同)且远低于电源电压为饱和,在两者之间则为放大.

一方面.三极管的饱和状态也就是三极管的输出电流饱和输出电流不随输入电流而改变的一种状态,即输出电流恒定、只决定于输出回路的电源电压和负载电阻的一种状态.因此,在饱和状态时仍有电流通过正偏的集电结.另一方面,从三极管由放大状态进入饱和状态的过程来看:放大状态时,在输入电流驱动下,使得通过反偏集电结的输出电流与输入电流成正比(比例系数就是电流放大系数);但随着输入电流的增大,输出电流将逐渐转变为饱和,三极管也就进入饱和状态.因此饱和电流也仍然从集电结输出.可见,这主要是由于通过发射结的输入电流的驱动所致,如果没有输入电流的驱动,只有集电结正偏,也就不会产生输出的饱和电流.

用万用表表测基极与射极间的电压UBE.如果电压小于0.6V,为截止状态;如果电压等于或略大于0.7V,再测CE间电压:如果CE电压大于1V,为放大状态.如果CE电压小于1V,为饱和状态.

判断晶体管在何时将出现截止或者饱和,即判断三极管工作在什么状态,要按照三个原则: 第一、如果发射结反偏,管子截止; 第二、发射结正偏,集电极反偏,管子在放大状态; 第三、发射结和集电极均正偏则在饱和状态. 至于击穿,并非三极管的工作状态,具体的击穿电压需要查询三极管的技术手册. 例如: 图A,三个均为PNP管,发射结正偏,集电结反偏,放大. 图B,发射结正偏,集电极电位与基极电位一致,管子处于临界饱和状态. 图C,发射结反偏,管子截止.

截止:三极管基极b的电压和电流不足以是三极管导通,c到e完全不导电.饱和:三极管基极b有足够的电压和电流,使三极管完全导通.放大:三极管的导通状态介于截止和饱和之间.图中电路三种状态的简单判断,主要看Uo电压.截止状态,三极管不导电,Uo电压约等于Vcc.饱和状态,三极管完全导通,Uo电压只等于三极管ce压降,约0.3左右.放大状态,就是Uo电压值介于两者之间.

饱和状态:在放大工作状态的基础上,如果基极电流进一步增大许多,三极管将进入饱和状态,这时的三极管电流放大倍数β要下降许多,饱和得越深其β值越小,电流放大倍数β一直能小到小于1的程度,这时三极管没有放大能力.此时,VBE将大于VCE(NPN).在三极管处于饱和状态时,输入三极管的信号要进入饱和区,这也是一个非线性区.不饱和状态:就是工作在放大区或截止区,放大区Ic=βIb,截止区Ib=0.

Uce可以为零的情况,是在估算晶体管处于饱和状态的Ic值时采用.因为晶体管的饱和压降Uces相对电源电压Ucc显得很小,在计算Ic值时影响很小,可以忽略.于是,饱和状态下的Ic便等于Ucc/Rc=Ic,再由此Ic与β求得饱和状态时的Ib.

最简单的判断三极管的状态就是看集电极的电位,如果集电极电位约等于电源电压,就是截至的,如果约等于饱和压降Uces,就是饱和的,介于这两个电压之间的就是线性放大区,约接近这两个电压之间的中心位置,线性就越好.Uces就是集电极-发射极件饱和压降,指的是三极管处于饱和状态时,集电极-发射极之间出现的一个电压,饱和之后,不管基极电流怎么变化,这个电压变化不大.

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