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晶体管饱和时压降

1、饱和压降越低,相对的输出阻抗越小,有利于驱动负载;2、饷和压降越低,其在输出电流时承受的电压越小,功耗越小

这个要看具体类型的,一般来说,总的规律是,小功率三极管这个电压会小一些,但大功率三极管,这个电压不小.1、饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE.2、一般认为,临界饱和电压UCES是饱和与放大的分界线,过了这个点就是饱和.小功率管子,一般这个电压是0.7V,大功率管子大概是2-3V.后面饱和程度深了之后就不好说了,一般小功率管子饱和导通的UCE电压,往往用0.3V来估算(但实际是不是0.3V,真的只有鬼才知道),大功率管子还是乖乖地实测吧.

三极管饱和导通时的压降硅管0.7V,锗管0.3V.三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.

三极管的饱和压降一般是常数,硅管约为0.3V,锗管约为0.1V

晶体管的饱和压降也就是两个PN结正偏时、C-E之间的电压,即等于两个PN结正向电压的差,因此,对于理想晶体管,饱和压降与PN结的导通压降,严格来说,是有一定的关系.但是,实际上晶体管饱和压降与PN结的导通压降关系不大,因为晶体管饱和压降主要决定于晶体管的集电极串联电阻;而这与衬底外延层的电阻率和厚度有很大的关系,另外也与电极接触电阻有关.想要详细了解的话,请参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

当晶体管完全、充分导通,CE之间的总有一定的电压,不可能为0,饱和压降就是指这个最小电压.

三极管在饱和导通时射极与集极之间的电压叫三极管的饱和压降.三极管的饱和压降一般为0.2V-0.3V 之间.

最简单的判断三极管的状态就是看集电极的电位,如果集电极电位约等于电源电压,就是截至的,如果约等于饱和压降Uces,就是饱和的,介于这两个电压之间的就是线性放大区,约接近这两个电压之间的中心位置,线性就越好.Uces就是集电极-发射极件饱和压降,指的是三极管处于饱和状态时,集电极-发射极之间出现的一个电压,饱和之后,不管基极电流怎么变化,这个电压变化不大.

三极管的饱和压降指的是工作在开关状态的三极管处于导通状态时的发射极与集电极之间的压降,一般在1V左右.

三极管饱和压降Vce(sat) 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有

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