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晶体管饱和深度是什么

1.随着基极电流逐步增大,三极管的集电极电流已经不随着基极电流变化而变化;2.Ube≥Uce.这时候的状态就是“深度饱和状态”.

当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和.饱和电流由集电极电阻和发射极电阻决定,饱和电流的大小与三极管无关,一般当ce电压小到0.4v时三极管就饱和了.其本质就是饱和时发射极和集电极都是正向偏置导通,故相当于短路.基极电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和.基极电流乘放大倍数远大于集电极电流时是深度饱和.三极管在深度饱和的状态下,ic=βib的关系不成立,三极管的发射结和集电结都处于正向偏置,导电的状态下,在电路中犹如一个闭合的开关.所以相当于短路.ic-uce输出特性曲线斜率趋近于无穷大,也就是电阻接近为零.在开关电路中深饱和会影响开关速度.

饱和:在外加Vce= V1 不便的情况下,增大Ib 直到Ic 不再明显增大,也就是放大倍数减小,此时为饱和.深度饱和:继续增大Ib, 进入深度饱和.从放大区到饱和区再到深度饱和,基区载流子浓度越来越大,造成Toff 的增大也就是前面说的速度.

当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和,假定负载电阻是1k,vcc是5v,饱和时电阻通过电流最大也就是5ma,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05ma=50μa,那么基极电流大于50μa就可以饱和. 1.在实际工作中,常用ib*β=v/r作为判断临界饱和的条件.根据ib*β=v/r算出的ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深. 2.集电极电阻 越大越容易饱和; 3.饱和区的现象就是:二个pn结均正偏,ic不受ib之控制.

三极管具有电流放大作用,但必须要有外部电路条件相配合,即外部电路满足“发射极E正向偏置.集电极反向偏置”这一条件.三极管的输出特性渠线可以划分为三个区,即放大区、饱和区、截止区.在饱和区,饱和压降一般很小(小于1伏),

深度饱和的晶体管CE电压降接近0,Rc上的电压接近电源电压(12V).

三极管在数字电路中饱和应用是作为电子开关导通状态使用的,为了使三极管开关能够在承受较大灌电流时仍然保持导通良好,需要三极管处于深度饱和状态.如果传递信号中需要放大信号,三极管就必须工作在放大状态.

1.在实际工作中2113,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件.根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到5261真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深. 2.集电极电阻 越大越容易饱和.4102 3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受1653IB之控制. 问题:基极电流达到多少时三极管饱和版? 解答:这个值应该是权不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的:假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5mA,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA,那么基极电流大于50μA就可以饱和.

三极管是少子器件,开启及关闭都有延迟,而且关闭过程会有很长的拖尾.达林顿开关速度快,原因是组成达林顿的两个管工作状态不同,电流大的一个管始终处于临界饱合状态,且集电结处于反偏,所以速度很快,而电流小的一个是小功率管,基区的储贮效应也很低,开关速度也很快. 查看原帖>>

晶体管刚进入饱和时为临界饱和,如Ib继续增加,则为过饱和. 用作开关时,晶体管应工作在深度饱和状态,这有利于降低Vce和减小导通时的损耗

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