ncxq.net
当前位置:首页 >> 晶体管饱和管压降 >>

晶体管饱和管压降

三极管的饱和压降指的是工作在开关状态的三极管处于导通状态时的发射极与集电极之间的压降,一般在1V左右.

饱和管压降也就是临界饱和电压,理论上说是放大区与饱和区的边界.对于小功率管来说,大概是0.7V左右,对于大功率管子来说,可以达到2-3V.工程中,其实饱和和放大的边界远没有那么清楚,是一个很模糊的概念,对于小功率管而

三极管在饱和导通时射极与集极之间的电压叫三极管的饱和压降.三极管的饱和压降一般为0.2V-0.3V 之间.

三极管处于饱和状态下集电集和发射极之间的压降就叫饱和压降.

晶体管的饱和压降也就是两个PN结正偏时、C-E之间的电压,即等于两个PN结正向电压的差,因此,对于理想晶体管,饱和压降与PN结的导通压降,严格来说,是有一定的关系.但是,实际上晶体管饱和压降与PN结的导通压降关系不大,因为晶体管饱和压降主要决定于晶体管的集电极串联电阻;而这与衬底外延层的电阻率和厚度有很大的关系,另外也与电极接触电阻有关.想要详细了解的话,请参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

三极管的饱和压降一般是常数,硅管约为0.3V,锗管约为0.1V

饱和管压降与最大管压降的区别如下:管压降都是指的VCE的电压,最大管压降是指的是三极管VCE所能承受的电压,饱和时管压降是指三极管饱和状态下的VCE的电压,通常为零点几V,大功率的为2~3V.饱和管压降:三极管处于饱和状态下集电集和发射极之间的压降就叫饱和压降.最大管压降:三极管VCE所能承受的电压.

三极管饱和导通时的压降硅管0.7V,锗管0.3V.三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.

三极管饱和压降Vce(sat) 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有

最简单的判断三极管的状态就是看集电极的电位,如果集电极电位约等于电源电压,就是截至的,如果约等于饱和压降Uces,就是饱和的,介于这两个电压之间的就是线性放大区,约接近这两个电压之间的中心位置,线性就越好.Uces就是集电极-发射极件饱和压降,指的是三极管处于饱和状态时,集电极-发射极之间出现的一个电压,饱和之后,不管基极电流怎么变化,这个电压变化不大.

网站首页 | 网站地图
All rights reserved Powered by www.ncxq.net
copyright ©right 2010-2021。
内容来自网络,如有侵犯请联系客服。zhit325@qq.com